Mémoire à tores magnétiques (8192 mots de 16 bits)
1975 Data General Corporation DGC - USA
Mémoire à tores magnétiques (16536 mots de 16 bits)
N° d'inventaire 603.0901
Catégorie
Vitrine Cet instrument n'est pas en exposition
Constructeur Plessey Memories Inc., Santa Ana, Calif. USA
Pays USA
Datation 1970 - 1975 (1970-1975)
Dimensions Mémoire 327 x 201 mm^2 Lecture/écriture 400 x 228 mm^2
Mémoire d’ordinateur “256k” à tores magnétiques, contenant 262’144 tores.
L’organisation de cette mémoire en mots de 8, 16 ou éventuellement 32 bits n’est pas connue.
Ce type de mémoire à accès aléatoire (”RAM”), relativement rapide (ordre de grandeur la microseconde), a été utilisé comme mémoire centrale des ordinateurs entre 1955 et 1980 (environ).
En deux parties : le circuit imprimé avec les tores s’enfiche sur le circuit imprimé logique, plus grand.Chaque tore est traversé par 3 fils de ø 50 µm, un dans la direction horizontale et deux dans la direction verticale.
Dimensions des tores : ø ext 400 µm, épaisseur 100 µm.
Usage principal Ordinateurs
Etat de conservation Extérieurement bon, mais la plaque métallique de protection des tores manque
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Informations supplémentaires
InscriptionsPlessey Memories Inc., Santa Ana,
Calif. USA
S/N 1671
16k x 16
P/N 700290-102 3375
PM 1116Remarques et commentairesMémoire à tores : 16 blocs de “16k” (65536 tores), mesurant 16 x 28 mm^2
Au total 262’144 tores, mémoire “16k x 16”
Le tissage à 3 fils de cette mémoire est montré par Hilpert (2003), Fig. 7a.
Explication simplifiée du fonctionnement d’une mémoire à tores magnétiques:
Ce type de mémoire utilise des tores de ferrite avec un cycle d’hystérèse le plus rectangulaire possible. Initialement, les tores sont dépourvus de magnétisation. Si le tore neuf est enfilé sur un fil, un courant +I/2 magnétise le tore dans le sens des aiguilles de la montre, état que l’on peut faire correspondre à un bit “1”; avec –I/2, le tore est magnétisé dans le sens inverse des aiguilles de la montre (bit “0”). Pour renverser la magnétisation d’un tore déjà magnétisé, il faut un courant +I ou –I.
Dans une matrice rectangulaire de tores, chacun d’eux est traversé par un fil dans la direction x et un autre dans la direction y. Pour écrire un “1” dans le tore en x = X et y = Y, on envoie simultanément des impulsions de courant +I/2 dans les lignes X et Y traversant le tore. Pour écrire un “0”, on envoie des courants –I/2. Les tores qui ne voient que +I/2 ou –I/2 ne changent pas d’état.
Pour la lecture, une boucle de fils traverse une ou plusieurs paires de rangées de tores, soit en diagonale, soit dans une des directions x ou y (dans le cas de la mémoire de l’inventaire, c’est la direction y). Si un des tores change d’état, la variation de flux magnétique induit une différence de potentiel aux bornes de la boucle. Pour voir si le tore en x = X et y = Y contient un “0” ou un “1”, on envoie (par exemple) des impulsions de courant –I/2 dans les lignes X et Y traversant le tore: s’il est à l’état “0”, aucun signal n’est induit dans la boucle de fil; s’il est à l’état “1“, il change d’état et une impulsion de tension est induite dans la boucle. On remarque que la lecture est destructive, aussitôt après il faut réécrire le bit si on veut le conserver inchangé.
Bibliographie
— James R. JONES: Coincident Current Ferrite Core Memories
(Byte Magazine, July 1976); downloaded in January 2014 from
http://ed-thelen.org/comp-hist/Byte/76jul.html
— Ceruzzi, Paul E.: A History of Modern Computing (398 p.)
(The MIT Press, 1998)
—Brent HILPERT: Magnetic Core Memory Systems (2003)
University of British Columbia, Vancouver, B.C., Canada
Downloaded in January 2014 from
http://www.cs.ubc.ca/~hilpert/e/coremem/index.html
Pour un historique de ce type de mémoire, voir Wikipedia: “Magnetic-core memory”
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